型号: | FDG6308P | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | Fairchild Semiconductor | 描述: | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
标准包装 | 1 |
系列 | PowerTrench® |
FET 型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 600mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 600mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 153pF @ 10V |
功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | SC-70-6 |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | FDG6308PDKR |